优化NorFlash存储阵列面积的相关方法及系统
基本信息
| 申请号 | CN201910450923.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110164489B | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN110164489B | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | G06F113/18(2020.01)N;G06F30/392(2020.01)I;G11C5/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 冯一飞;王志刚 | 申请（专利权）人 | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王宝筠 |
| 地址 | 519080广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园3座305 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种优化Nor Flash存储阵列面积的版图布局方法及系统、Nor Flash存储器的制备方法，有效的将较大比特的待优化Nor Flash存储阵列版图优化为较小比特的目标Nor Flash存储阵列版图，进而通过目标Nor Flash存储阵列版图制作Nor Flash存储器时，在保证缩小目标Nor Flash存储阵列版图的面积基础上，缩小了Nor Flash存储器的芯片尺寸；并且由于目标Nor Flash存储阵列版图与待优化Nor Flash存储阵列版图的存储阵列的方向一致性，可以采用同样设备进行流片而无需设计新的流片设备，有效的降低了制备费用。 |
