MOS栅极器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410074718.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103855034A | 公开（公告）日 | 2014-06-11 |
| 申请公布号 | CN103855034A | 申请公布日 | 2014-06-11 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈智勇;孙娜 | 申请（专利权）人 | 上海达新半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司 |
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MOS栅极器件的制造方法，包括步骤：在半导体衬底表面依次形成栅介质层、栅极层、栅极增高层和刻蚀阻挡层。采用光刻刻蚀工艺形成栅极图形结构。形成体区。光刻加注入工艺形成源区。淀积侧墙层。对侧墙层进行全面刻蚀并形成对宽侧墙。通过光刻工艺及利用对宽侧墙作自对准刻蚀形成栅极开孔区和源区开孔区。淀积正面金属层。进行光刻刻蚀形成正面电极引出端子。本发明相对传统的光掩模对准工艺能减少对光刻精度的要求，同时保证对宽侧墙的均匀性和一致性，从而降低由于掩膜工艺而带来的缺陷以及对电流密度的限制，能提高器件密度从而提高集成度。另本发明中增加的刻蚀阻挡层也降低了刻蚀工艺的精度要求，降低刻蚀工艺的难度。 |
