绝缘栅双极晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410055323.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103855206A | 公开（公告）日 | 2014-06-11 |
| 申请公布号 | CN103855206A | 申请公布日 | 2014-06-11 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈智勇;孙娜;张海涛 | 申请（专利权）人 | 上海达新半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，集电区由第一P+区和第二P-区组成，第一P+区的掺杂浓度大于第二P-区的掺杂浓度，第一P+区的结深小于第二P-区的结深，第二P-区和所述漂移区直接接触，第一P+区和集电极背面金属层相接触；第一P+区和背面金属层形成欧姆接触从而用于减小接触电阻、降低导通压降；第二P-区用于控制集电区的注入效率，第二P-区的掺杂浓度越低、集电区的注入效率越低、绝缘栅双极晶体管的开关速度越快。本发明还公开了一种绝缘栅双极晶体管的制造方法。本发明能提高器件的开关速度并同时降低器件的导通压降。 |
