能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统
基本信息
| 申请号 | CN201710287731.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107142452B | 公开（公告）日 | 2019-07-23 |
| 申请公布号 | CN107142452B | 申请公布日 | 2019-07-23 |
| 分类号 | C23C14/08;C23C14/35 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 易鉴荣;唐臻;林荔珊 | 申请（专利权）人 | 柳州豪祥特科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 靳浩 |
| 地址 | 545616 广西壮族自治区柳州市柳东新区官塘创业园研发中心2号楼511号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，包括：依次相连的预热腔、沉积腔、冷却腔、成品腔和真空泵以及控制面板。所述沉积腔的两侧壁上设置有ITO靶材和磁体，所述ITO靶材的前端设置有可开合的挡板；所述沉积腔的两侧壁上均匀开设有通气孔，且所述两侧壁上的通气孔交错设置，以向所述沉积腔内通入反应气体；所述冷却腔的底面上设置有第二加热板；所述成品腔内设置有多个格栅，以将所述成品腔均匀分隔为多个隔室。其采用流水线式的制备系统，使得成膜效率大大提高，且成膜均匀质量高。同时所述系统在成膜和冷却步骤进行控制，进一步提高了成膜质量。 |
