一种抑制SiCMOSFET尖峰及串扰的驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202111521031.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114337201A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114337201A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H02M1/088（2006.01）I;H02M1/32（2007.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 秦海鸿;彭江锦;胡昊翔;谢斯璇;卜飞飞;陈文明;戴卫力;朱梓悦;谢利标;胡黎明 | 申请（专利权）人 | 南京开关厂股份有限公司 |
| 代理机构 | 江苏圣典律师事务所 | 代理人 | 徐晓鹭 |
| 地址 | 210016江苏省南京市秦淮区御道街29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是关于一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路，连接于SiC MOSFET驱动电路中，驱动电路包括上下桥臂，下桥臂的第一正向、第一负向供电电源之间连接电压图腾柱结构电路，电压图腾柱结构电路的输出端连接驱动电阻电路和负压关断电压上拉电路的输入端，驱动电阻电路的输出端连接电流抽取电路和电流注入电路的输入端，负压关断电压上拉电路的输出端连接下桥臂SiC MOSFET的栅极相连；上桥臂除无负压关断电压上拉电路外，与下桥臂对称设置。本发明能够充分发挥SiC MOSFET高开关速度，低损耗的性能优势，且在实现抑制开通电流、关断电压尖峰的同时抑制了桥臂串扰负压关断带来的附加损耗。 |
