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SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置

基本信息

申请号 CN202111538772.7 申请日 -
公开（公告）号 CN114301269A 公开（公告）日 2022-04-08
申请公布号 CN114301269A 申请公布日 2022-04-08
分类号 H02M1/088（2006.01）I 分类 发电、变电或配电;
发明人 秦海鸿;谢斯璇;纪国盛;王帅;陈文明;谢利标;胡黎明 申请（专利权）人 南京开关厂股份有限公司
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 陆烨
地址 210016江苏省南京市秦淮区御道街29号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置，具体为：步骤1：根据流经SiC/Si混合并联器的负载电流选择开关模式；步骤2：采用迭代计算根据SiC/Si混合并联器件的损耗计算SiC MOSFET的结温Tj_MOS以及SiC MOSFET的结温Tj_IGBT；步骤3：在Tj_MOS和Tj_IGBT之间选择最大值作为参考结温Tj，如果Tj小于预设的第一参考结温Tref_j1，或者大于等于预设的第二参考结温Tref_j2，则采用最小损耗控制法计算SiC/Si混合并联器开关的开通、关断延迟时间；否则采用热平衡法。本发明提高了混合并联器的效率。