芯片堆叠结构的连接方法
基本信息
| 申请号 | CN202111351802.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113793811B | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 申请公布号 | CN113793811B | 申请公布日 | 2022-02-15 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘天建;田应超;曹瑞霞;谢冬 | 申请（专利权）人 | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路18号新芯生产线厂房及配套设施2幢OS6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法，包括：提供一基板；将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上，相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙，每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片，每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层，所述间隙暴露所述焊盘的侧面；去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层，使所述焊盘局部突出于所述介质层；在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层，去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层，形成连接层，相邻的所述焊盘通过所述连接层连接；以及，填充所述间隙，以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大，良率越低的问题。 |
