一种铈离子掺杂钆镓铝石榴石闪烁晶体生长的装置及工艺
基本信息
| 申请号 | CN201910757109.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112391679A | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN112391679A | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | C30B29/28(2006.01)I; | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李辉;王海丽;陈建荣;黄存新 | 申请（专利权）人 | 中材人工晶体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵奕 |
| 地址 | 100018北京市朝阳区东坝红松园1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种铈离子掺杂钆镓铝石榴石闪烁晶体生长的装置及工艺，操作简单，通过所述工艺中各步骤的有效设计，使所得晶体长度一般为80‑200mm，完整性很好，无螺旋、晶体开裂等现象，且晶体内部无明显位错、偏析、夹杂物等缺陷，且沿晶体生长方向，在晶体毛坯上每隔20mm切割成所需晶块(或晶棒)样品，经过研磨、抛光后进行晶体的方向性和闪烁性能检测可知，所得晶体性能优异且一致性好，这对于该类晶体而言是技术上的重大创新。由于所得晶体，完整、性能优异且一致性好，故可将其应用于高能粒子探测、核物理、核医学成像、安检、工业探测任一领域的探测器件。 |
