一种掺硼金刚石薄膜制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010380094.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111549331A | 公开（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申请公布号 | CN111549331A | 申请公布日 | 2020-08-18 |
| 分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 玄真武;张怡 | 申请（专利权）人 | 中材人工晶体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京中材人工晶体研究院有限公司;中材人工晶体研究院有限公司 |
| 地址 | 100018北京市朝阳区东坝红松园一号人工晶体院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种掺硼金刚石薄膜制备方法。在沉积腔体内CVD金刚石沉积条件满足沉积要求后，将沉积腔体内用于盛装单质硼的坩埚加热至使单质硼发生升华的升华调控温度；然后根据所述升华调控温度、沉积腔体内硼的蒸气压之间的第一对应关系及沉积腔体内硼的蒸气压与沉积腔体内硼浓度的第二对应关系确定所述升华调控温度与沉积腔体内硼浓度的第三对应关系，进而通过调节所述升华调控温度实现沉积腔体内掺杂硼浓度的调节，实现沉积腔体内CVD金刚石沉积条件不变的情况下，通过单独升华调控温度实现控制硼源的掺杂浓度，保证沉积及掺杂效果佳，而且控制简单，操作安全、方便。 |
