一种用于制备光学ZnS材料的CVD设备
基本信息
| 申请号 | CN202011460588.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112663024A | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN112663024A | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/30;C23C16/52 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 钱纁;肖红涛;张旭;张克宏;党参;宫月 | 申请（专利权）人 | 中材人工晶体研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京柏杉松知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘继富;王春伟 |
| 地址 | 100018 北京市朝阳区红松园1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制备光学ZnS材料的CVD设备，包括沉积炉主体以及分隔设置于沉积炉主体内部的第一炉体和第二炉体；第一炉体设置有第一坩埚和沉积腔，第二炉体设置有第二坩埚和投料装置，第一坩埚用于盛放锌，第二坩埚用于盛放硫，投料装置用于向第二坩埚定时定量投放硫以控制硫的蒸发速率。通过本发明CVD设备不会引入H2S，因此能够避免因H2S分解产生H离子与Zn蒸气形成氢锌络合物而影响ZnS材料的透过率和发射率，通过该设备制备的ZnS材料具有低发射率的特点，从而使ZnS材料能够应用于更高的温度条件下，扩大了光学ZnS材料的应用范围。 |
