半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110377967.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112897457A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112897457A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 万蔡辛;何政达;赵成龙;蒋樱 | 申请（专利权）人 | 无锡韦感半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址 | 江苏省无锡市新区区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的半导体器件的制造方法包括在衬底上依次形成牺牲层和结构层；以及在所述牺牲层的侧壁上形成金属层，其中，所述牺牲层和所述结构层上形成有台阶结构；通过溅射生长的方式在所述台阶结构上形成所述金属层。根据本发明实施例的半导体器件及其制造方法，采用金属层保护不希望去除的牺牲层，金属层的覆盖性和致密性好，保护效果好。 |
