PVDF涂布隔膜的制备方法
基本信息
申请号 | CN202010680847.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114024088A | 公开(公告)日 | 2022-02-08 |
申请公布号 | CN114024088A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
分类号 | H01M50/403(2021.01)I;H01M50/449(2021.01)I;H01M50/426(2021.01)I;H01M50/414(2021.01)I;H01M50/417(2021.01)I;H01M50/457(2021.01)I;H01M50/434(2021.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/42(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 王志豪;王思双;陶晶;杜辉 | 申请(专利权)人 | 重庆恩捷纽米科技股份有限公司 |
代理机构 | 重庆航图知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 霍本俊 |
地址 | 401121重庆市长寿区晏家街道齐心大道22号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种PVDF涂布隔膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将PVDF粉体与水按照4:6‑9:1的质量比混合,并加入偶联剂,然后研磨,再搅拌分散,得到表面改性PVDF分散液;(2)将表面改性PVDF分散液稀释,配制成涂布浆料;(3)将隔膜送入涂布装置,使用涂布浆料进行涂布;(4)将涂布后的隔膜干燥、收卷,得到PVDF涂布隔膜。本发明通过高固含研磨接枝改性的方法,提高了偶联剂在PVDF表面的接枝率,使得PVDF颗粒间斥力增加,浆料均匀,分散稳定,大大提升了PVDF涂层的性能,制备的PVDF涂布隔膜堵孔概率低、透气度增加少,同时离子电导率高,内阻低。 |
