半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备
基本信息
| 申请号 | CN202111553675.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318306A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318306A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C23C16/505（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 韩轲;钱心嘉;孙琼 | 申请（专利权）人 | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 丁俊萍 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多腔室工艺设备，通过预先对第一腔体及第二腔体施予工艺气体及射频，分别找出第一初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第一时间差及第二初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第二时间差，再通过第一时间差与第二时间差反馈校正，进而使本发明多腔室工艺设备的第一射频产生单元、第二射频产生单元与气源单元均会同步关闭。因此，本发明多腔室工艺设备的第一腔室所沉积的第一基材与第二腔室所沉积的第二基材品质较为均匀。 |
