一种沟槽的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111326597.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114220766A | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114220766A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 雷鹏 | 申请（专利权）人 | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽的制备方法，在半导体衬底上先形成第一电介质层，并刻蚀第一电介质层形成第一沟槽，而后形成填充第一沟槽的牺牲层，之后再形成第二电介质层，并刻蚀第二电介质层形成显露牺牲层的第二沟槽，而后去除牺牲层，形成第一沟槽及第二沟槽相贯通的沟槽，从而本发明通过分步沉积及分步刻蚀电介质层的方法，可制备具有高深宽比的沟槽，且制备工艺简单，操作难度低，且工艺精度高，还可有效减少产品缺陷风险，提升产品良率。 |
