监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质
基本信息
| 申请号 | CN202111451988.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114324187A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114324187A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | G01N21/25（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈志钦 | 申请（专利权）人 | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质，在对刻蚀机台进行WAC工艺时，通过光谱EPD模块获取刻蚀机台内光谱信号强度随时间变化的EPD曲线，并通过对EPD曲线进行微分处理，可获取EPD微分曲线，并通过获取EPD曲线中的峰值信号及对峰值信号的分析，即可对刻蚀腔体进行颗粒掉落的判定；本发明通过光谱EPD模块可直接监测刻蚀腔体内在进行WAC工艺时，是否有颗粒掉落，从而便于后续工艺操作，可减少人力，提高判定准确率，避免由于颗粒掉落对刻蚀腔体及晶圆的污染，从而可提高监测效率，降低损失，降低对晶圆质量的影响程度。 |
