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一种MOS器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111406269.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114220851A	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN114220851A	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	余祺	申请（专利权）人	杭州富芯半导体有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	刘星
地址	310000浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301
法律状态	-

摘要

本发明提供一种MOS器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底中设有在水平方向上间隔设置的源区与漏区；形成三明治结构于所述衬底上，所述三明治结构包括自下而上依次堆叠的第一SiO2层、高K介质层及第二SiO2层；形成凹槽，所述凹槽自所述第二SiO2层的上表面开口并往下延伸至所述高K介质层中，所述凹槽在水平方向上位于所述源区与所述漏区之间，且在所述源区指向所述漏区的方向上，所述凹槽两端的深度小于中间的深度；形成栅极导电层，所述栅极导电层位于所述第二SiO2层上，并填充进所述凹槽中，所述栅极导电层的宽度大于所述凹槽的宽度；形成侧墙结构于所述栅极导电层的侧壁。本发明可以在不影响开启电压的情况下提高器件的耐压性能。