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一种晶圆的离子注入方法

基本信息

申请号	CN202111539094.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114334633A	公开（公告）日	2022-04-12
申请公布号	CN114334633A	申请公布日	2022-04-12
分类号	H01L21/265（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	陈展奋;李梅霞;蓝玉国	申请（专利权）人	杭州富芯半导体有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	刘星
地址	310000浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301
法律状态	-

摘要

本发明提供一种晶圆的离子注入方法，包括以下步骤：将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上；对晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将晶圆绕晶圆的中心轴往同一方向旋转360/N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过晶圆的中心，且垂直于晶圆所在平面。本发明的晶圆的离子注入方法对离子注入工艺的流程进行了改进，将离子注入过程分为多次进行，每次离子注入完毕后，将晶圆旋转360/N度后再进行下一次离子注入，可以有效消除束流微小角度偏差给产品带来的影响，可以简易而有效地提升晶圆离子注入均匀性，从而提升了产品的良率，降低了产品报废风险以及设备的利用率。