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具有MIM电容器的半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111327784.5	申请日	-
公开（公告）号	CN114220917A	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN114220917A	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L49/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	曹文康	申请（专利权）人	杭州富芯半导体有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	卢炳琼
地址	310000浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301
法律状态	-

摘要

本发明提供一种具有MIM电容器的半导体器件及制备方法。制备方法包括：提供衬底，于衬底上依次形成底电极层和第一介质层；在第一掩膜的作用下对第一介质层进行光刻刻蚀，以形成位于MIM电容区的MIM电容器通孔和位于非MIM电容区的导电插塞通孔；依次形成互连金属层和第二介质层；进行表面平坦化处理以去除MIM电容器通孔及导电插塞外的互连金属层和第二介质层；在第二掩膜的作用下，于MIM电容器通孔的第二介质层表面和导电插塞的表面形成上极板金属层，位于MIM电容器通孔内的互连金属层、第二介质层和上极板金属层构成MIM电容器，MIM电容器的上极板金属层和导电插塞表面的上极板金属层相互电隔离。本发明通过减少掩膜的使用可降低生产成本和提高生产效率。