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一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺

基本信息

申请号 CN201110062007.2 申请日 -
公开（公告）号 CN102185040A 公开（公告）日 2011-09-14
申请公布号 CN102185040A 申请公布日 2011-09-14
分类号 H01L33/00(2010.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/30(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张志强 申请（专利权）人 浙江长兴立信光电科技有限公司
代理机构 杭州华鼎知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 胡根良
地址 313118 浙江省湖州市长兴县白岘乡西北工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种湿法化学腐蚀LED表面粗化工艺，首先在LED出光层GaN的表面覆盖上光刻胶，然后在光刻胶膜掩膜的保护下用化学湿法腐蚀，其中化学湿法腐蚀的腐蚀液为王水和去离子水的混合液。所述腐蚀液中王水和去离子水的体积比为(3～5)∶1。本发明用王水和去离子水组成的混合液对LED表面进行湿法化学腐蚀，这种表面粗化法可以抑制全反射提高光提取效率，粗化后在出光表面小坑直径大小为6μm，密度为孔心距20μm，深度为2-4μm，且小坑侧壁坡度在45°至60°之间时，对出光效率的提高很多，最多可获得29％的光强提高。