新型线路结构的制作工艺及新型线路结构

基本信息

申请号 CN202110181570.5 申请日 -
公开(公告)号 CN113056107A 公开(公告)日 2021-06-29
申请公布号 CN113056107A 申请公布日 2021-06-29
分类号 H05K3/16 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 吴勇军 申请(专利权)人 深圳明阳芯蕊半导体有限公司
代理机构 苏州华博知识产权代理有限公司 代理人 杨敏
地址 518101 广东省深圳市宝安区新桥街道上星社区南环路第二工业区第4栋201
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种新型线路结构的制作工艺及新型线路结构,该制作工艺如下步骤:S11:通过迭层法形成线路层和覆盖所述线路层的绝缘层;S12:在所述绝缘层上形成沟槽;S13:进行等离子清洗,并溅射底铜或化学沉铜;S14:贴膜并进行曝光显影;S15:进行图形电镀;S16:褪膜处理;S17:蚀刻底铜。本发明的新型线路结构的制作工艺提高了线路结构的精细度、增强了线路与基板的结合力和线路的导通性能,并且制作工艺更加简单。