一种双面透明导电材料的激光蚀刻工艺方法
基本信息
申请号 | CN202010829683.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111906448A | 公开(公告)日 | 2020-11-10 |
申请公布号 | CN111906448A | 申请公布日 | 2020-11-10 |
分类号 | B23K26/362(2014.01)I;B23K26/50(2014.01)I | 分类 | 机床;不包含在其他类目中的金属加工; |
发明人 | 陈刚;袁聪;林少辉;汪伟;方小春 | 申请(专利权)人 | 湖北吉事达科技有限公司 |
代理机构 | 江苏殊成律师事务所 | 代理人 | 杨桂平 |
地址 | 430070湖北省孝感市孝感国家高新技术开发区孝汉大道57号上海产业园 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种双面透明导电材料的激光蚀刻工艺方法,工艺步骤:1)采用椭偏仪测试在可见光波段范围内,双面透明导电材料的A面B面导电膜层的折射率nA,nB以及基材(无导电层的)的折射率nc;2)计算所述材料的A面和B面所对应的全反射角θA,θB;3)将1所述材料A面朝上,放在工作平台上,将激光蚀刻机加工头与工作平台的角度θwork≥θA,进行图档的蚀刻。4)同样要求将材料翻面B面朝上,进行图档的蚀刻。5)双面线路蚀刻工作结束,材料的A面和B面即制作出了对应的图案。采用全反射原理进行光路调整,无折射光进入基材及反面的导电膜层,保证正面膜材激光蚀刻后完全对反面膜材无任何损伤,具体较好的技术效果。 |
