一种双面透明导电材料的激光蚀刻工艺方法

基本信息

申请号 CN202010829683.7 申请日 -
公开(公告)号 CN111906448A 公开(公告)日 2020-11-10
申请公布号 CN111906448A 申请公布日 2020-11-10
分类号 B23K26/362(2014.01)I;B23K26/50(2014.01)I 分类 机床;不包含在其他类目中的金属加工;
发明人 陈刚;袁聪;林少辉;汪伟;方小春 申请(专利权)人 湖北吉事达科技有限公司
代理机构 江苏殊成律师事务所 代理人 杨桂平
地址 430070湖北省孝感市孝感国家高新技术开发区孝汉大道57号上海产业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种双面透明导电材料的激光蚀刻工艺方法,工艺步骤:1)采用椭偏仪测试在可见光波段范围内,双面透明导电材料的A面B面导电膜层的折射率nA,nB以及基材(无导电层的)的折射率nc;2)计算所述材料的A面和B面所对应的全反射角θA,θB;3)将1所述材料A面朝上,放在工作平台上,将激光蚀刻机加工头与工作平台的角度θwork≥θA,进行图档的蚀刻。4)同样要求将材料翻面B面朝上,进行图档的蚀刻。5)双面线路蚀刻工作结束,材料的A面和B面即制作出了对应的图案。采用全反射原理进行光路调整,无折射光进入基材及反面的导电膜层,保证正面膜材激光蚀刻后完全对反面膜材无任何损伤,具体较好的技术效果。