采用流化床反应器制备高纯度多晶硅颗粒的方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN201010116785.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101780956B | 公开（公告）日 | 2012-06-27 |
| 申请公布号 | CN101780956B | 申请公布日 | 2012-06-27 |
| 分类号 | C01B33/03(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;B01J8/24(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 王铁峰;王晨静;魏飞;汪展文;杨海建 | 申请（专利权）人 | 洛阳世纪新源硅业科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 邸更岩 |
| 地址 | 100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 采用流化床反应器制备高纯度多晶硅颗粒的方法及装置，在流化床反应器内设置导流筒，将反应器分为加热区和反应区两部分，导流筒与反应器壁间的环隙区为加热区，导流筒内为反应区。在反应器内加入硅粉颗粒形成床层，通过调节加热区和反应区的流化气速使加热区和反应区床层的固相体积百分含量在流化后不同，从而实现颗粒在加热区和反应区之间的循环流动，并调节颗粒的循环速率。在加热区通入不含硅的流化气体，设置加热元件把硅粉颗粒加热，多晶硅颗粒通过反应器内导流筒下部的连通区域在加热区与反应区之间循环流动。由于仅在反应区通入含硅气体，本发明技术具有结构简单，壁面沉积少，能耗低等优点。 |
