一种磁感式电压隔离IC封装结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111277246.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114005794A | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN114005794A | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈少碧;崔卫兵;李科;杨千栋;王金龙;刘耀星;王少辉;张易勒 | 申请（专利权）人 | 天水华天科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 高博 |
| 地址 | 741000甘肃省天水市秦州区双桥路14号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种磁感式电压隔离IC封装结构及其制备方法，包括塑封料、引线框架和IC芯片；引线框架和IC芯片设置在塑封料中，引线框架包括高压侧和低压侧，高压侧和低压侧间隔设置，IC芯片设置在高压侧中心位置上，IC芯片和高压侧之间设置有隔离耐压层，隔离耐压层的材料采用陶瓷片或PI膜，低压侧与IC芯片的PAD通过焊线连接。能够同时兼顾检测灵敏性能和产品的隔离耐压性能，保证产品质量和可靠性。 |
