薄膜体声波谐振器和滤波器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910231620.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109951171A | 公开（公告）日 | 2019-06-28 |
| 申请公布号 | CN109951171A | 申请公布日 | 2019-06-28 |
| 分类号 | H03H3/04（2006.01）I; H03H9/17（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 李善斌; 刘绍侃; 董谦; 史晓婷; 霍俊标; 张雪奎 | 申请（专利权）人 | 浙江华远微电科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳华远微电科技有限公司; 北京中讯四方科技股份有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区沙井街道新二社区庄村路5号D、E栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器制备方法。所述薄膜体声波谐振器制备方法包括步骤有：在衬底的一表面上进行刻蚀处理，形成凹槽；向所述凹槽内形成牺牲层、在所述牺牲层的表面和所述衬底的所述表面上形成支撑层；沿所述衬底向支撑层的延伸方向，在所述支撑层的表面上依次形成第一底电极层、温飘层、第二底电极层、压电层和顶电极层；释放所述牺牲层处理，形成封闭的空腔。所述滤波器制备方法包括按照所述薄膜体声波谐振器的制备方法进行制备薄膜体声波谐振器的步骤。所述薄膜体声波谐振器的制备方法赋予制备的所述薄膜体声波谐振器损耗和温飘低、温度系数小、功率承受力和工作频率以及机电耦合系数高、兼容性好，具有很好的Q值。 |
