薄膜体声波谐振器和滤波器
基本信息
| 申请号 | CN201910231636.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109756201A | 公开（公告）日 | 2019-05-14 |
| 申请公布号 | CN109756201A | 申请公布日 | 2019-05-14 |
| 分类号 | H03H3/02（2006.01）I; H03H3/04（2006.01）I; H03H9/02（2006.01）I; H03H9/17（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 刘绍侃; 李善斌; 史晓婷; 霍俊标; 张雪奎; 董谦 | 申请（专利权）人 | 北京中讯四方科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳华远微电科技有限公司; 北京中讯四方科技股份有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区沙井街道新二社区庄村路5号D、E栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器和薄膜体声波滤波器。本发明薄膜体声波谐振器包括硅衬底、支撑层、第一底电极层、温飘层和三明治压电堆结构，所述支撑层层叠结合在所述衬底的开设有所述凹槽的所述表面上，并由所述支撑层和凹槽围合成封闭的空腔，所述第一底电极层层叠结合在所述支撑层的背离所述衬底的表面上，所述温飘层叠结合在所述第一底电极的背离所述支撑层的表面上，所述三明治压电堆结构层叠在所述温飘层的背离所述第一底电极层的表面上。所述薄膜体声波滤波器包括所述薄膜体声波谐振器。本发明薄膜体声波滤波器和谐振器耗低、温度系数小、温飘低、功率承受力高、工作频率高、机电耦合系数高、兼容性好，而且具有很好的Q值。 |
