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一种低应力碳化硅单晶的籽晶安装装置及晶体生长工艺

基本信息

申请号 CN201910762897.4 申请日 -
公开（公告）号 CN110541195B 公开（公告）日 2021-02-26
申请公布号 CN110541195B 申请公布日 2021-02-26
分类号 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 路亚娟;杨昆;牛晓龙;刘新辉;张福生 申请（专利权）人 河北同光科技发展有限公司
代理机构 北京盛询知识产权代理有限公司 代理人 张海青
地址 071066 河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种低应力碳化硅单晶的籽晶安装装置及晶体生长工艺，安装装置包括坩埚、坩埚盖、固定安装于所述坩埚内壁上的环形石墨托、边缘搭接在所述环形石墨托上的耐高温支架环；碳化硅籽晶非生长面覆置有高纯石墨超微细粉胶膜；所述有高纯石墨超微细粉胶膜上表面粘接于所述耐高温支架环的下表面；然后通过加热坩埚内的粉体，使籽晶表面进行晶体的生长，形成碳化硅晶体；本发明通过改变籽晶处理工艺及籽晶的安装方法从而降低碳化硅晶体与坩埚盖之间及碳化硅晶体内部的应力，消除从坩埚盖中取晶体及晶体后续加工过程造成晶体开裂的问题，提高碳化硅晶体产率。