高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010691891.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111893564B | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN111893564B | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨昆;路亚娟;牛晓龙;刘新辉;张福生 | 申请（专利权）人 | 河北同光科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京连城创新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许莉 |
| 地址 | 071051河北省保定市北三环6001号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种高纯半绝缘SiC单晶的制备方法，涉及SiC单晶的生长制备技术领域，用于解决现有技术中针对石墨部件及多晶原料所吸附氮气在高温生长过程中解吸附而导致高纯半绝缘SiC单晶产率下降的技术问题。本发明所述的高纯半绝缘SiC单晶的制备方法，将籽晶及SiC多晶原料分别置于生长腔的两端，采用物理气相传输方法生长单晶，其包括两次生长过程：第一次生长采用假片籽晶，第二次生长籽晶采用单晶SiC晶片，且第二次生长温度较第一次生长温度低50‑150℃。本发明主要应用于高纯半绝缘单晶的制备中。 |
