首页/ 河北同光科技发展有限公司/ 专利详情

一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置

基本信息

申请号 CN202021500700.4 申请日 -
公开（公告）号 CN212451746U 公开（公告）日 2021-02-02
申请公布号 CN212451746U 申请公布日 2021-02-02
分类号 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘新辉;杨昆;张福生;路亚娟;牛晓龙;尚远航 申请（专利权）人 河北同光科技发展有限公司
代理机构 北京连城创新知识产权代理有限公司 代理人 许莉
地址 071051河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，配合所述外加热器反复反转SiC籽晶生长热场的轴向温度梯度，使SiC籽晶晶体表面每经历一段时间的微升华和微再结晶的近平衡状态后，再继续生长，周而复始，直到完成生长。使用本实用新型装置生长出来的晶体，微管、位错等缺陷密度得到了有效降低，晶体质量大大提高。