一种碳化硅晶片化学机械抛光后表面保护方法
基本信息
| 申请号 | CN202010691694.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111883416A | 公开（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申请公布号 | CN111883416A | 申请公布日 | 2020-11-03 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔景光;李永超;高彦静;曹宝红;李琦 | 申请（专利权）人 | 河北同光科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京连城创新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许莉 |
| 地址 | 071051河北省保定市北三环6001号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅晶片化学机械抛光后表面保护方法，包括如下步骤：1）将多线切割后的晶片进行机械加工处理，2）将氢氟酸溶液稀释到一定浓度后备用，3）将所述步骤1）中加工处理后的晶片放置于稀释后的氢氟酸溶液中，静置一段时间，4）将所述步骤3）中静置完成后的晶片取出用纯水彻底冲洗，5）将冲洗后的晶片进行干燥处理后将其转移至检测台进行检测。本发明的氢氟酸溶液对抛光后的碳化硅晶片进行清洗可以抑制氧化膜的形成，降低了下道工序的工作难度，提高了生产效率。 |
