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一种高质量大直径SiC单晶的制备装置

基本信息

申请号 CN202021499230.4 申请日 -
公开（公告）号 CN212771047U 公开（公告）日 2021-03-23
申请公布号 CN212771047U 申请公布日 2021-03-23
分类号 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘新辉;杨昆;张福生;路亚娟;牛晓龙;尚远航 申请（专利权）人 河北同光科技发展有限公司
代理机构 北京连城创新知识产权代理有限公司 代理人 许莉
地址 071051河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种高质量大直径SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、加热装置和多孔石墨桶；其中，所述坩埚位于保温层内；所述加热装置位于所述保温层的外侧；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩埚内，与坩埚同轴；本实用新型SiC生长组分采用从坩埚外侧的原料到内侧的籽晶的输运方式，晶体生长的过程就是自然扩径过程，晶体直径扩大不受限制，同时晶体沿非极性生长面生长，穿透位错密度相比沿C轴生长大大降低；挨着坩埚壁而受热碳化的SiC原料产生的C颗粒被内侧的SiC原料和多孔石墨层有效阻挡，减少了晶体中的C包裹物，晶体质量得到了有效提高。