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碳化硅单晶快速扩径生长系统

基本信息

申请号 CN202021415249.6 申请日 -
公开（公告）号 CN212451745U 公开（公告）日 2021-02-02
申请公布号 CN212451745U 申请公布日 2021-02-02
分类号 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张福生;杨昆;刘新辉;牛晓龙;路亚娟;尚远航 申请（专利权）人 河北同光科技发展有限公司
代理机构 北京连城创新知识产权代理有限公司 代理人 许莉
地址 071051河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开一种碳化硅单晶快速扩径生长系统，涉及半导体晶体生长技术领域，用于解决现有技术中在保证结晶质量的前提下，无法较好地实现碳化硅单晶的快速扩径的问题。本实用新型提供的碳化硅单晶快速扩径生长系统，包括：坩埚桶，所述坩埚桶具有金属或金属化合物涂层；坩埚盖，所述坩埚盖置于所述坩埚桶的顶端，且所述坩埚桶具有金属或金属化合物涂层；导流板，所述导流板置于所述坩埚桶的内部，且所述导流板具有金属或金属化合物涂层；所述导流板用于将所述坩埚桶的内部分为两个不同体积的区域，且所述导流板位于生长腔的部分有用于调整组份流方向的弯角。