籽晶片及其制备方法、晶硅锭的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911131667.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112899777A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112899777A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B28/06;C30B33/00;B23K26/364 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 熊震;李煜燚;李飞龙;朱军 | 申请（专利权）人 | 洛阳阿特斯光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 韩晓园 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种籽晶片及其制备方法、晶硅锭的制备方法，所述籽晶片包括单晶硅片、位于所述单晶硅片第一表面的若干诱导槽。本申请将所述籽晶片铺设在坩埚底部，通过若干诱导槽代替所述碎硅料诱导长晶，一方面，单晶硅片的投用量远小于碎硅料的投用量，提高了硅料整体投入量的产出比例，相对降低了硅料损耗、降低了成本；另一方面，位于第一表面上的若干诱导槽晶向一致，能够诱导硅液体定向凝固，并产生大晶粒，从而获得晶向较好的多晶硅锭或类单晶硅。 |
