一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010767349.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111863603A | 公开（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申请公布号 | CN111863603A | 申请公布日 | 2020-10-30 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔文荣 | 申请（专利权）人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 地址 | 226600江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺，涉及芯片技术领域，具体为一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺，包括以下步骤：S1、扩散前处理；S2、氧化；S3、光刻；S4、双面开管磷沉积；S5、开管扩磷；S6、蚀刻沟槽；S7、电泳钝化；S8、完成芯片制造。该低压低漏流高效保护芯片制造工艺通过芯片表面高浓度N+层有助于提升抗浪涌能力，沟道扩散有助于降低漏电，电泳的致密性薄层提升可靠性；芯片采取台面工艺，增加N型区耗尽层结构，改变了N型扩散区的浓度结构曲线，利用N型扩散区耗尽层宽度的附加耐压，增加了P+区宽度；增宽了高导电率区域，增强了P+区对P基区发射电子的能力。 |
