一种大功率放电管芯片制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110587509.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314410A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314410A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔文荣 | 申请（专利权）人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁桂红 |
| 地址 | 226600江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于芯片制造技术领域，尤其是一种大功率放电管芯片制造工艺，针对现有的放电管芯片制作方式复杂，且制作芯片漏电流高，电容值高，高温反偏性能弱，抗浪涌能力弱的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：扩散前处理；S2：氧化；S3：单向光刻；S4：低温氧化；S5：离子注入；S6：氧化表面处理；S7：光刻处理；S8：测试，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。本发明设计成正面TSS，背面TVS与AK系列TVS合并封装成一种保护器件，漏电流低，电容值低，高温反偏性能强，抗浪涌能力强。 |
