一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110584920.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314409A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314409A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔文荣 | 申请（专利权）人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁桂红 |
| 地址 | 226600江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于芯片制造技术领域，尤其是一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，针对现有的芯片制作漏电流大，高温反偏及抗浪涌能力弱问题，现提出如下方案，其包括以下工艺步骤：S1：扩散前处理；S2：氧化；S3：光刻；S4：P+硼扩散；S5：N+淀积；S6：对氧化片加工；S7：对硅片进行加工，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。本发明使用干法加湿法共同生长的氧化层作为隔离层，降低PN结侧面漏电；选用专用合适的N型衬底新材料，使用平面氧化层工艺降低漏电流；根据产品需求选用特定电阻率N型抛光片，背面采用合适的吸杂降低漏电。 |
