一种单向负阻型TVS芯片制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110584930.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113270318A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113270318A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔文荣 | 申请（专利权）人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁桂红 |
| 地址 | 226600江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于TVS芯片制造领域，尤其是一种单向负阻型TVS芯片制造工艺，针对现有的单向负阻型TVS芯片不具有双向TVS二极管的低钳位电压和低击穿电压的优点，不具有单向TVS负向浪涌钳位电压低的优点的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1、扩散前处理：采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理；S2、初氧：使用氢氧合成工艺完成初氧；S3、基区光刻：正面基区光刻，背面辅助区域光刻；S4、磷预扩：双面补磷；S5、去双面氧化层；S6、背面补硼，本发明具有双向TVS二极管的低钳位电压和低击穿电压的优点，又具有单向TVS负向浪涌钳位电压低的优点。 |
