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一种快充电源及接口浪涌保护芯片制造工艺

基本信息

申请号 CN202011619747.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112820698A 公开（公告）日 2021-05-18
申请公布号 CN112820698A 申请公布日 2021-05-18
分类号 H01L21/822;H01L27/02 分类 基本电气元件;
发明人 崔文荣 申请（专利权）人 江苏晟驰微电子有限公司
代理机构 北京天盾知识产权代理有限公司 代理人 丁桂红
地址 226600 江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及快充电源及信息通信接口保护技术领域，且公开了一种快充电源及接口浪涌保护芯片制造工艺，包括以下步骤：步骤一：扩散前处理，采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗等工序，对硅片表面进行化学处理。该快充电源及接口浪涌保护芯片制造工艺，通过进行氧化、光刻、N‑磷扩散、N+淀积、对氧化片进行光刻以及硅片上蒸发TI、NI、AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极的工艺能够对在其较宽的N‑区块能够提高PN结侧边击穿电压，降低边缘漏电，且平面氧化层工艺能够很好的保护PN结，加大有源区面积提高抗浪涌能力，且通过使用干法加湿法共同生长的氧化层作为隔离层，降低PN结侧面漏电的情况。