一种5G基站保护芯片制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010768084.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111863616A | 公开（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申请公布号 | CN111863616A | 申请公布日 | 2020-10-30 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔文荣 | 申请（专利权）人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 地址 | 226600江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种5G基站保护芯片制造工艺，涉及5G基站技术领域，具体为一种5G基站保护芯片制造工艺，所述包括以下步骤：S1、扩散前处理；S2、氧化；S4、双面开管磷沉积；S5、开管扩磷；S6、蚀刻沟槽；S7、电泳钝化；S8、完成芯片制造。该5G基站保护芯片制造工艺设置的芯片采取台面工艺，芯片台面附近区域设计的辅助沟槽结构，当外加最高反向电压时，P型基区耗尽层被限制在基区以内，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。 |
