一种低电容ESD芯片制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110584911.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113270317A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113270317A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔文荣 | 申请（专利权）人 | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁桂红 |
| 地址 | 226600江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于ESD芯片制造领域，尤其是一种低电容ESD芯片制造工艺，针对现有的ESD芯片漏电流高，电容值高问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1、扩散前处理：采用N型外延衬底，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理；S2、零层光刻，初氧；S3、基区光刻：正胶工艺刻出基区；S4、基区补硼；S5、硼氧化：生成薄氧；S6、正面接触区光刻，正面蒸铝，正面金属光刻；S7、真空合金，中检；S8、正面贴膜保护，背面磨片，背面蒸钛镍银锡；S9、测试，本发明漏电流低，电容值低。 |
