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超级结制作方法及超级结

基本信息

申请号 CN202011460905.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112635326A 公开（公告）日 2021-04-09
申请公布号 CN112635326A 申请公布日 2021-04-09
分类号 H01L21/336;H01L29/06 分类 基本电气元件;
发明人 顾冬梅;黄继颇;杨维 申请（专利权）人 安徽赛腾微电子有限公司
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 代理人 董杰
地址 241000 安徽省芜湖市弋江区服务外包产业园4号楼14层北侧1401、1402、1403室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种超级结制作方法及超级结，该方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底表面形成有具有第一导电类型掺杂的第一外延层，在第一外延层上形成具有刻蚀窗口的掩膜层，通过掩膜层在第一外延层内形成垂直的浅沟槽，然后利用浅沟槽的自对准，在浅沟槽底部的第一外延层进行多次第二导电类型的离子注入，然后去除掩膜层，进行热推进，将第二导电类型掺杂进行扩散，在浅沟槽与半导体衬底之间形成第二导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区与浅沟槽垂直对准，然后在前沟槽内填充具有第二导电类型掺杂的第二外延层，形成超级结。通过本发明提供的方法，能够降低工艺成本，减弱工艺难度，提高器件的可靠性。