一种半导体加热炉

基本信息

申请号 CN202021283070.X 申请日 -
公开(公告)号 CN212930979U 公开(公告)日 2021-04-09
申请公布号 CN212930979U 申请公布日 2021-04-09
分类号 F27B17/00;F27D11/00 分类 炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉〔4〕;
发明人 王鑫 申请(专利权)人 无锡开成半导体科技有限公司
代理机构 杭州奇炬知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 贺心韬
地址 214000 江苏省无锡市无锡惠山经济开发区智慧路33号华清创意园20栋801-1
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了加热炉技术领域具体为一种半导体加热炉,包括前端面设有开口的炉体,炉体左右两侧内腔顶部和底部之间固接有两组陶瓷导热板,左侧陶瓷导热板与炉体内腔左侧壁之间和右侧陶瓷导热板与炉体内腔右侧壁之间均形成加热室,两组加热室内腔均设置有半导体加热组件,本实用新型通过陶瓷导热板能够对半导体加热组件进行隔离,从而避免在向加热炉内放置待加热物时,加热物与半导体加热组件发生碰撞而造成损坏,且陶瓷导热板能够起到良好的导热效果;而半导体加热组件包括固定座、安装板和若干组半导体加热管,且安装板与固定座滑动连接,使得能够将安装板及其半导体加热管拉出,从而方便半导体加热管的更换和维修。