一种B4C-TiB2导电复相陶瓷及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210485924.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114685168A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114685168A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C04B35/563（2006.01）I;C04B35/58（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 冉松林;赵峻;金星;王东;丁祥 | 申请（专利权）人 | 安徽工业大学 |
| 代理机构 | 合肥左心专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 243002安徽省马鞍山市湖东路59号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有包覆型显微结构的，其中TiB2的体积含量为10‑30％。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和无定形B粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷，烧结温度为2000℃，压力为50MPa，保温时间为5‑20min。本发明构筑了TiB2小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，有利导电网络的形成和完善。在相同TiB2含量下，本发明制备的B4C‑TiB2复相陶瓷具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。与传统方法相比，本发明所制备的B4C‑TiB2复相陶瓷的力学性能相当或更优。 |
