一种集成大面积二维材料器件制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110370199.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299541A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299541A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/04 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王磊;曲迪;李宗宴;李文喆;陈帅 | 申请（专利权）人 | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蒙建军 |
| 地址 | 300467 天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种集成大面积二维材料器件制备工艺，属于半导体加工技术领域，其特征在于，至少包括：S1、预处理；S2、涂胶；S3、电子束曝光；S4、显影；S5、刻蚀；S6、涂胶；S7、套刻；S8、蒸镀；S9、剥离。本发明通过选择合适的光刻胶和显影液，采用光刻胶直接做套刻标记，以及刻蚀二维材料后不去胶直接再涂胶的巧妙方法解决了二维材料吸附力不强、二维材料在显影和剥离等工艺过程容易脱落的技术问题。另外采用电子束光刻的方式，相对于紫外光刻的方式，省去光刻掩模版的制作步骤，非常灵活和便捷，具有非常高的加工效率，同时具有纳米级的加工精度。 |
