一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺
基本信息
| 申请号 | CN202210151780.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114706275A | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114706275A | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | G03F7/20（2006.01）I;G03F7/11（2006.01）I;G03F7/16（2006.01）I;G03F7/40（2006.01）I;G03F7/42（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 王磊;刘新鹏;李宗宴;李文喆;孙峥;付通;宋学颖;曲迪 | 申请（专利权）人 | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 300467天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，属于半导体加工技术领域，包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行烘烤坚膜；S4、刻蚀晶圆过渡层；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。本发明能够防止光刻胶漂胶和裂胶。 |
