一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法
基本信息
| 申请号 | CN202111361056.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114089457A | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN114089457A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | G02B5/18（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 王磊;李宗宴;李文喆;刘新鹏;孙峥;杨子曦;宋学颖;曲迪 | 申请（专利权）人 | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蒙建军 |
| 地址 | 300467天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法，属于半导体技术领域，其特征在于，包括：S1、在片源上涂胶；S2、电子束曝光；S3、显影；S4、SEM表征；S5、制作曝光版图；S6、Beamer软件模拟曝光剂量；S7、二次涂胶；S8、二次电子束曝光；S9、二次显影；S10、坚膜；S11、ICP刻蚀；S12、去胶。本发明提出一种可以制备周期<500nm，闪耀角曲率半径<10nm的闪耀光栅压模板的方法，并且周期在100nm到500nm之间和闪耀角在10°到50°之间可以连续调节。 |
