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一种多次套刻的方法

基本信息

申请号	CN202110718354.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113394083A	公开（公告）日	2021-09-14
申请公布号	CN113394083A	申请公布日	2021-09-14
分类号	H01L21/027（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李宗宴;王磊;李文喆;刘新鹏;曲迪	申请（专利权）人	天津华慧芯科技集团有限公司
代理机构	天津市鼎和专利商标代理有限公司	代理人	蒙建军
地址	300467天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种多次套刻的方法，属于半导体微纳制造技术领域，包括：清洗基片；在基片上旋涂电子抗蚀剂；电子束曝光图形并同时在需要套刻图形附近曝光mark标记阵列；对旋涂电子抗蚀剂显影；对第一次套刻的图形及mark同时刻蚀；去除电子抗蚀剂；在基片上旋涂电子抗蚀剂；使用上一次加工的需套刻位置附近的刻蚀mark作为套刻标记，电子束套刻图形并同时曝光mark标记阵列；对旋涂电子抗蚀剂显影；对上一次套刻的图形及mark同时刻蚀；去除电子抗蚀剂；完成最后一次套刻及刻蚀。本发明解决了相邻两次套刻偏差的累积、及场拼接导致mark和图形相对位置偏差的影响，提高了套刻精度，也可解决mark被污染影响套刻精度的问题。