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一种低介电常数薄膜的制备方法

基本信息

申请号	CN201410831283.4	申请日	-
公开（公告）号	CN104498900A	公开（公告）日	2015-04-08
申请公布号	CN104498900A	申请公布日	2015-04-08
分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	姜标	申请（专利权）人	上海爱默金山药业有限公司
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	邬震中
地址	201505 上海市金山区亭林镇南金公路5878号
法律状态	-

摘要

本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种多孔低介电常数薄膜的制备方法。系以双-(三乙氧基硅基)甲烷和甲基三乙氧基硅烷作为混合骨架前驱体，以双戊烯作为成孔剂，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，通过调节衬底温度、射频功率、反应腔中工作压强等，沉积得到有机-无机杂化薄膜；然后对该薄膜进行热退火处理，使得部分有机组分发生热分解而除去，得到多孔低介电常数材料薄膜。通过调整两种骨架前驱体的比例，可以实现对薄膜骨架结构的控制，使薄膜具有良好的电学性能、力学性能及抗吸水性能的组合。制备的薄膜介电常数为2.3～2.5，1MV/cm场强下的漏电流密度处于10^-8～10^-9A/cm²数量级范围内，击穿场强大于3MV/cm，杨氏模量为5～7GPa，硬度为0.6～0.8GPa。