硅基GaNHEMT器件面板级扇出型封装结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110726218.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314480A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314480A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘家才;霍炎;谢雷;罗鹏;熊元庆 | 申请（专利权）人 | 成都氮矽科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 敖欢 |
| 地址 | 610094四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府二街138号1栋35楼3502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种硅基氮化镓（GaN）HEMT器件面板级扇出型封装结构及封装方法，包括硅基GaN HEMT芯片，芯片的四周和正面被第一塑封料包裹，底部金属层为第一散热通道，硅基GaN HEMT芯片正面输入输出口上方的铜线路为第二散热通道。本发明用铜线路将芯片的输入输出口引出，与传统焊线封装工艺中用金线或铜线引出输入输出口相比，大大减小了封装带来的寄生电阻和电感，使得产品应用频率的上限进一步提升。芯片背面与金属散热片直接相连，提供除芯片底部以外的另外一个散热通道，大大降低了封装热阻，解决了硅基GaNHEMT器件正面散热困难的问题。 |
