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一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备

基本信息

申请号	CN202110723191.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113451295A	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN113451295A	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01L27/02（2006.01）I;H01L29/74（2006.01）I;H01L29/747（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	叶平平;朱小安;邵宇;易永财	申请（专利权）人	深圳砺芯半导体有限责任公司
代理机构	深圳市恒程创新知识产权代理有限公司	代理人	张小容
地址	518000广东省深圳市南山区西丽街道深圳市科技园北区朗山二路金汇球大厦5楼513室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备。SCR器件包括：N型外延、第一P阱区、第二P阱区、第一N+接触区、第二N+接触区、第一二极管及第一电极；第一P阱区与第二P阱区均位于N型外延上方，且第一P阱区与第二P阱区隔离设置，第一N+接触区位于第一P阱区内部上方，第二N+接触区与第一N+接触区隔离设置，且第二N+接触区部分位于第一P阱区及N型外延，第一二极管的负极连接第二N+接触区，第一二极管的正极连接第一电极。由于第二N+接触区及第一二极管，使得器件通过第一次弱回滞得到高维持电压，从而避免了闩锁现象，第二次强回滞得到低维持电压，从而降低了SCR器件的功耗，提高了SCR器件的鲁棒性。