一种高导通低漏电的肖特基芯片
基本信息
| 申请号 | CN201921868925.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210516734U | 公开（公告）日 | 2020-05-12 |
| 申请公布号 | CN210516734U | 申请公布日 | 2020-05-12 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛涛;关仕汉;迟晓丽 | 申请（专利权）人 | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 代理机构 | 淄博佳和专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 商晓 |
| 地址 | 255086 山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高导通低漏电的肖特基芯片，属于半导体技术领域。包括衬底，在衬底表面设置有外延层，在外延层中部形成肖特基界面（4），其特征在于：所述的外延层包括第一外延层和第二外延层，在肖特基界面（4）下部的第二外延层内间隔设置有多个第二单晶硅区（5），在每一个第二单晶硅区（5）的下方分别设置有第一单晶硅区（3），第二单晶硅区（5）的宽度大于其底部对应的第一单晶硅区（3）的宽度。在本高导通低漏电的肖特基芯片中，设置有两层外延层，并通过设置第一单晶硅区和第二单晶硅区，可以有效阻断反向电流，同时有效增大肖特基界面的面积，降低了正向导通的电阻，因此增大了正向导通电流。 |
